Elektronische Eigenschaften von In(Ga)As, GaAs Quantenpunkten

Viac o knihe

In dieser Arbeit werden die optischen und elektronischen Eigenschaften von In(Ga)As/GaAs Quantenpunkten untersucht, wobei die Photolumineszenz-Anregungsspektroskopie (PLE) als zentrale Methode dient. PLE ermöglicht eine detaillierte Analyse der angeregten Zustände eines Subensembles von Quantenpunkten, das durch die Detektionsenergie definiert wird und in erster Näherung mit der Quantenpunktgröße korreliert. Hochanregungs-PL-Messungen werden durchgeführt, um den Einfluss mehrerer Exzitonen pro Quantenpunkt und die Coulombwechselwirkung zu untersuchen. Der Vergleich der Renormalisierungseffekte in verschiedenen Probenstrukturen hilft, die Parameter zu identifizieren, die die Vielteilcheneffekte beeinflussen, wie die Anzahl der angeregten Zustände und Exzitonen in der Benetzungsschicht. Zudem werden die Auswirkungen gezielt eingebrachter Defekte durch Protonenbeschuss auf die elektronischen Eigenschaften analysiert, wobei die „Bestrahlungsunempfindlichkeit“ des Grundzustands nachgewiesen wird. Die Verspannung der Halbleiter-Nanostrukturen hat einen entscheidenden Einfluss auf die elektronischen Eigenschaften. Der Vergleich zwischen optischer Untersuchung und theoretischer Modellierung zeigt die Faktoren auf, die für die Rotverschiebung der Quantenpunktlumineszenz verantwortlich sind. Schließlich wird aufgezeigt, dass aus optischen Ergebnissen Rückschlüsse auf strukturelle Eigenschaften der Quantenpunkte gezogen werden können, wa