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Herstellung und Charakterisierung von modulationsdotierten Feldeffekttransistoren auf der Basis von gitterangepaßten und metamorphen (InGaAl)As-Verbindungshalbleitern

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Berichte aus der Halbleitertechnik

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Herstellung und Charakterisierung von modulationsdotierten Feldeffekttransistoren auf der Basis von gitterangepaßten und metamorphen (InGaAl)As-Verbindungshalbleitern, Stefan Kraus

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1999
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