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Epitaxie und Charakterisierung von AlGaN-basierten UV-Photodetektoren
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AlGaN-Photodetektoren bieten erhebliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Si-basierten Photodetektoren hinsichtlich der Zuverlässigkeit und der elektrooptischen Leistungseigenschaften. Schwerpunkt dieser Dissertation ist daher die metallorganische Gasphasenepitaxie und die Charakterisierung der AlGaN-Schichten zur Prozessierung von p-i-n-Photodioden für die Messung von UV-Strahlung.
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Epitaxie und Charakterisierung von AlGaN-basierten UV-Photodetektoren, Björn Albrecht
- Jazyk
- Rok vydania
- 2017
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2021 2022 2023
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- Titul
- Epitaxie und Charakterisierung von AlGaN-basierten UV-Photodetektoren
- Jazyk
- nemecky
- Autori
- Björn Albrecht
- Vydavateľ
- Fraunhofer Verlag
- Rok vydania
- 2017
- ISBN10
- 3839611113
- ISBN13
- 9783839611111
- Séria
- Science for systems
- Kategórie
- Skriptá a vysokoškolské učebnice
- Anotácia
- AlGaN-Photodetektoren bieten erhebliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Si-basierten Photodetektoren hinsichtlich der Zuverlässigkeit und der elektrooptischen Leistungseigenschaften. Schwerpunkt dieser Dissertation ist daher die metallorganische Gasphasenepitaxie und die Charakterisierung der AlGaN-Schichten zur Prozessierung von p-i-n-Photodioden für die Messung von UV-Strahlung.