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Epitaxie und Charakterisierung von AlGaN-basierten UV-Photodetektoren

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AlGaN-Photodetektoren bieten erhebliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Si-basierten Photodetektoren hinsichtlich der Zuverlässigkeit und der elektrooptischen Leistungseigenschaften. Schwerpunkt dieser Dissertation ist daher die metallorganische Gasphasenepitaxie und die Charakterisierung der AlGaN-Schichten zur Prozessierung von p-i-n-Photodioden für die Messung von UV-Strahlung.

Parametre

ISBN
9783839611111
Vydavateľstvo
Fraunhofer Verlag

Kategórie

Variant knihy

2017

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