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Polyanionen von Si, Ge, Sn und Bi wurden in Ethylendiamin oder flüssigem Ammoniak mit Übergangsmetallkomplexen und Bis(trimethylsilyl)acetylen umgesetzt. Die Synthese und Kristallstruktur des ersten vinylierten Ge9-Dimers [R-Ge9-Ge9-R]4– (R=CHCH2) wurde beschrieben. In neuen Ammoniakaten konnten die bisher am höchst-geladenen [Si4]4– und [Bi4]6– Anionen isoliert werden. Neue metallüberbrückte Anionen wurden durch Umsetzungen der Polyanionen mit Au(I)-, Zn(I)- und Ti(IV)-Komplexe erhalten.
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Untersuchungen zur Reaktivität von Polyanionen der Elemente Si, Ge, Sn und Bi in Lösung, Christian Bernd Benda
- Jazyk
- Rok vydania
- 2014
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- Titul
- Untersuchungen zur Reaktivität von Polyanionen der Elemente Si, Ge, Sn und Bi in Lösung
- Jazyk
- nemecky
- Autori
- Christian Bernd Benda
- Vydavateľ
- Verl. Dr. Hut
- Vydavateľ
- 2014
- ISBN10
- 3843914435
- ISBN13
- 9783843914437
- Séria
- Anorganische Chemie
- Kategórie
- Skriptá a vysokoškolské učebnice
- Anotácia
- Polyanionen von Si, Ge, Sn und Bi wurden in Ethylendiamin oder flüssigem Ammoniak mit Übergangsmetallkomplexen und Bis(trimethylsilyl)acetylen umgesetzt. Die Synthese und Kristallstruktur des ersten vinylierten Ge9-Dimers [R-Ge9-Ge9-R]4– (R=CHCH2) wurde beschrieben. In neuen Ammoniakaten konnten die bisher am höchst-geladenen [Si4]4– und [Bi4]6– Anionen isoliert werden. Neue metallüberbrückte Anionen wurden durch Umsetzungen der Polyanionen mit Au(I)-, Zn(I)- und Ti(IV)-Komplexe erhalten.